学术报告 题目 ：GaN器件集成技术研究 报告人：杨旭

题目 ：GaN器件集成技术研究
报告人：杨旭,西安交通大学教授,教育部新世纪优秀人才
时间 ：2016年4月25日(周一下午) 14:00-16:00
地点：最热门的网赌网址大全东校区纳米楼321讲学厅
主持人：刘扬教授

摘要：
分析GaN功率器件与Si功率器件特性的差异和由此导致的应用中出现的新问题，介绍国内外GaN功率器件集成技术研究现状及其应用情况，探讨解决GaN功率器件应用问题的方法和适合GaN器件的集成方案，介绍西安交通大学电力电子与新能源研究中心在GaN器件集成与封装方面开展的研究工作。.
报告人介绍：
杨旭，博士，教授。1972年8月生，1990年-1999年于西安交通大学电气学院学习，获得工学学士学位和工学博士学位。毕业后留在电气工程学院任教，2001年6月晋升副教授，2004年晋升教授。2004年赴美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统研究中心(CPES)学习访问，2005年归国返校。2006年入选教育部新世纪优秀人才计划。2014年赴美国加州大学伯克利分校学习培训。一直从事直流开关电路拓扑、PWM控制技术、逆变器、电力电子集成等方面的研究。出版专著《开关电源技术》，参加编写《电力电子技术》教材第4、5版。累计发表论文100余篇，其中SCI收录30余篇。2015年度获国家科技进步二等奖1项，2003年和2012年获陕西省科技进步一等奖共2项