学术报告：大失配、强极化氮化物半导体量子结构的外延生长和物性研究

报告题目：大失配、强极化氮化物半导体量子结构的外延生长和物性研究

报  告  人：沈波教授，北京大学物理学院教授，长江学者，国家973计划项目首席科学家

报告时间：2016年10月29日(周六上午) 09:30-10:30

报告地点：最热门的网赌网址大全南校园激光楼114讲学厅

主  持  人：刘扬教授

摘要：

GaN基异质结构在微波功率放大器和功率开关等电子器件领域有重大应用价值， 同时作为一种典型的高导带阶跃、强极化半导体二维电子气(2DEG)体系，表现出一系列不同于传统半导体异质结构的物理性质。近几年来，我们运用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，系统研究了多种类型GaN基异质结构的外延生长，在蓝宝石和Si衬底上分别获得了高质量的AlGaN/GaN、晶格匹配InAlN/GaN异质结构，Si衬底上异质结构2DEG室温迁移率最高达到2240 cm²/Vs。在此基础上，系统开展了InAlN/GaN异质结构漏电机理及其抑制方法、AlGaN/GaN异质结构输运和自旋性质、AlGaN/GaN异质结构界面陷阱态特性等电学性质工作。 同时，在器件和器件物理研究方面，深入研究了Si衬底上GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)动态电阻增加的物理机制，并实现了Si衬底上高性能GaN基增强型功率开关器件。

报告人介绍：

沈波，博士，教授。1985年毕业于南京大学物理系，获学士学位，1988年毕业于中国科技大学物理系，获硕士学位，1995年毕业于日本东北大学材料科学研究所(IMR)，获博士学位。曾任日本东京大学产业技术研究所(IIS)客座研究员，东京大学先端科技研究中心(RCAST)、千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授，日本产业技术综合研究所(AIST) JSPS访问教授。

1995年迄今一直从事III族氮化物 (又称GaN基) 宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基异质结构MOCVD外延生长，强极化、高能带阶跃氮化物半导体载流子输运性质，GaN基功率电子器件和紫外光电探测器件研制等方面取得在国内外同行中有一定影响的重要进展；近年来带领其课题组在AlInN/GaN晶格匹配异质结构和Si衬底GaN基异质结构MOCVD外延生长，InGaN基材料MBE外延生长和p型掺杂、GaN基异质结构二维电子气自旋性质等方面取得了一系列进展。先后主持和作为核心成员参加国家973计划项目，国家863计划项目，国家自然科学基金重大、重点项目，教育部、北京市重点项目，以及军口项目等20多项科研课题，发表SCI收录论文200多篇，论文被引用2000多次，先后在国际学术会议上做邀请报告10多次，获得/申请国家发明专利20多件，多次担任国际学术会议程序委员会、组织委员会主席和委员，担任国内多个国家重点实验室、科学院重点实验室和国防重点实验室的学术委员会委员，先后获国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。