学术报告 后摩尔时代新型电子器件中新材料的电子结构

题目：后摩尔时代新型电子器件中新材料的电子结构

报告人： 清华大学  李黄龙博士

时间：2016年7月18日下午3点

地点：广东省显示材料与技术重点实验室一楼讲学厅

摘要：

半导体工业界将逐步放弃依靠遵循摩尔定律的器件微缩发展路径，由密度驱动的发展转向功能驱动的发展。新材料的出现使得新的电子器件具有更高速、更低功耗等特性，甚至使得突破传统计算机功能的新型信息处理方式得以实现。为了理解这些新材料在电子器件中的功能以及工作机理，从原子尺度出发的研究手段有着非常重要的意义。基于密度泛函的理论工具成为了过去几十年中从原子尺度研究新材料的最广泛使用的手段。本次报告我将与各位老师、同学交流在我过去通过材料计算的手段在非硅基高速晶体管器件，非易失低功耗存储器，以及新型计算存储一体化的神经形态器件中取得的进展。通过对功能材料电子结构的研究，我们能够解释、预测以及改良器件的工作特性。

李黄龙简历：
李黄龙博士1988年出生，于2010年从北京大学物理学院获得理学学士学位，于2014年从英国剑桥大学获得电子工程博士学位，他现在清华大学从事神经形态计算(neuromorphic computing)相关的博士后研究工作。李黄龙博士的研究兴趣是应用于新型信息处理系统中的新器件和新材料

欢迎各位老师同学踊跃参加！

广东省显示材料与技术重点实验室

2016年7月6日